logo
vr

Η ΚΟΡΥΦΗ είναι επαγγελματικός διανομέας ηλεκτρονικών συστατικών στην Κίνα.

προσφέρουμε στη μιας στάσης υπηρεσία λύσης, από τις ενότητες επικοινωνίας, τις κεραίες, το PCB, PCBA, και όλα τα συστατικά για το PCB Bom.

Πωλήσεις & Υποστήριξη:

Αρχική Σελίδα
Προϊόντα
Σχετικά με εμάς
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
επαφή
Ζητήστε ένα απόσπασμα
Αρχική Σελίδα Προϊόντα

IGBT Power Module

Όλα τα Προϊόντα
Μονάδα 4G 5G (37)
Ασύρματη ενότητα επικοινωνίας (38)
Λειτουργική μονάδα δέκτη GPS (11)
Ενσωματωμένες μονάδες ισχύος (4)
IGBT Power Module (91)
τμήματα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (565)
Παθητικά ηλεκτρονικά συστατικά (94)
υψηλή κεραία ΠΣΤ κέρδους (14)
ασύρματη κεραία επικοινωνίας (30)
κεραία combo (14)
Αντήνα χαμηλής συχνότητας (5)
Ψηφιακή κεραία TV (7)
ομοαξονικό καλώδιο RF (9)
ομοαξονικός συνδετήρας RF (10)
PCB Υπηρεσίες Συνέλευση (5)
Τερματικό μπλοκ σύνδεσμοι (19)
ΚΙΝΑ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
ΚΙΝΑ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Πιστοποιήσεις
Άριστο προϊόν, καλή ποιότητα, ανταγωνιστική τιμή, επαγγελματική υπηρεσία, με 10 έτη συνεργασίας, τώρα γινόμαστε καλοί φίλοι μεταξύ τους.

—— Ronald-από Boilvia

Είναι πολύ ευτυχές να βρεί ΤΟΠ δεδομένου ότι ο συνεργάτης μας στην Κίνα, εδώ μπορούμε να πάρουμε το καλύτερα προϊόν και το serice, βάζουν πάντα τον πελάτη στην πρώτη θέση.

—— Carlos-από την Αργεντινή

Είμαι πολύ ικανοποιημένος με όλη την υπηρεσία σας. Είναι πραγματικά καλή ομάδα! με τη μιας στάσης προσφορά λύσης σας, μας βοηθήστε για να κερδίσετε πολλούς χρόνο και χρήματα

—— Giancarlo-από την Ιταλία

Είμαι Online Chat Now
ΚΙΝΑ FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT μονάδα μισής γέφυρας διακοπής τάφρου τεχνολογία χαμηλής ταχύτητας μεταγωγής VCEsat ανθεκτικό για μετατροπείς και κινητήρες διανομέας
FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT μονάδα μισής γέφυρας διακοπής τάφρου τεχνολογία χαμηλής ταχύτητας μεταγωγής VCEsat ανθεκτικό για μετατροπείς και κινητήρες

IGBT Power Module

(91)
ΚΙΝΑ FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT μονάδα μισής γέφυρας διακοπής τάφρου τεχνολογία χαμηλής ταχύτητας μεταγωγής VCEsat ανθεκτικό για μετατροπείς και κινητήρες εργοστάσιο

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT μονάδα μισής γέφυρας διακοπής τάφρου τεχνολογία χαμηλής ταχύτητας μεταγωγής VCEsat ανθεκτικό για μετατροπείς και κινητήρες
Επικοινωνία

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT half-bridge module trench stop tech low VCEsat γρήγορη εναλλαγή ανθεκτική για μετατροπείς και κινητήρες Χαρακτηριστικά Τοπολογία μισής γέφυραςΔύο IGBT με αντι-παράλληλες διόδους ... Διαβάστε περισσότερα
2026-05-19 17:45:21
ΚΙΝΑ FF400R06KE3HOSA1 Μονάδα IGBT 600V 400A τεχνολογία στάθμευσης τάφρου με μισή γέφυρα χαμηλό VCEsat υψηλής ταχύτητας βιομηχανικής ποιότητας εργοστάσιο

FF400R06KE3HOSA1 Μονάδα IGBT 600V 400A τεχνολογία στάθμευσης τάφρου με μισή γέφυρα χαμηλό VCEsat υψηλής ταχύτητας βιομηχανικής ποιότητας
Επικοινωνία

FF400R06KE3HOSA1 Μονάδα IGBT 600V 400A τεχνολογία στάθμευσης τάφρου με μισή γέφυρα χαμηλό VCEsat υψηλής ταχύτητας βιομηχανικής ποιότητας Χαρακτηριστικά 600V τάση συλλέκτη-εκδότη (Vces)Ιδιαίτερη προσοχή πρέπει ν... Διαβάστε περισσότερα
2026-05-19 17:45:07
ΚΙΝΑ TT120N16SOFHPSA1 SCR μονάδα 1600V Vdrm 120A Itav πίεση επαφής υψηλής τάσης χαμηλής απώλειας βιομηχανικής κλάσης για έλεγχο ισχύος εργοστάσιο

TT120N16SOFHPSA1 SCR μονάδα 1600V Vdrm 120A Itav πίεση επαφής υψηλής τάσης χαμηλής απώλειας βιομηχανικής κλάσης για έλεγχο ισχύος
Επικοινωνία

TT120N16SOFHPSA1 SCR μονάδα 1600V Vdrm 120A Itav πίεση επαφής υψηλής τάσης χαμηλής απώλειας βιομηχανικής κλάσης για έλεγχο ισχύος Χαρακτηριστικά 1600V Επαναλαμβανόμενη κορυφαία τάση εκτός λειτουργίας (Vdrm)Ιδια... Διαβάστε περισσότερα
2026-05-19 17:45:04
ΚΙΝΑ SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD πυκνωτής αλουμινίου ηλεκτρολυτικός 200V ονομαστική 105°C χαμηλής αντίστασης μεγάλης διάρκειας ζωής υψηλού κυματισμού -40 έως +105°C για τροφοδοσία και LED εργοστάσιο

SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD πυκνωτής αλουμινίου ηλεκτρολυτικός 200V ονομαστική 105°C χαμηλής αντίστασης μεγάλης διάρκειας ζωής υψηλού κυματισμού -40 έως +105°C για τροφοδοσία και LED
Επικοινωνία

SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD αλουμινίου ηλεκτρολυτικό 200V με ονομαστική τάση 105°C χαμηλή αντίσταση μεγάλη διάρκεια ζωής υψηλή κυματισμός -40 έως +105°C για ισχύ και LED Χαρακτηριστικά Ηλεκτρολυτική κατασκευή από ... Διαβάστε περισσότερα
2026-05-09 16:23:49
ΚΙΝΑ TT600N16KOF 1600V 600A Διπλή Θυρίστορα Μονάδα Χαμηλό VF 1.32V Υψηλή τάση 21kA Τεχνολογία επαφής πίεσης Απομονωμένη βάση Πλακέτα Τρύπα Πύλη UL Πιστοποιημένο για μαλακά ξεκινήματα και διορθωτές εργοστάσιο

TT600N16KOF 1600V 600A Διπλή Θυρίστορα Μονάδα Χαμηλό VF 1.32V Υψηλή τάση 21kA Τεχνολογία επαφής πίεσης Απομονωμένη βάση Πλακέτα Τρύπα Πύλη UL Πιστοποιημένο για μαλακά ξεκινήματα και διορθωτές
Επικοινωνία

Ενότητα Διπλού Θυρίστορ TT600N16KOF 1600V 600A Χαμηλή VF 1.32V Υψηλή Υπέρταση 21kA Τεχνολογία Επαφής Πίεσης Απομονωμένη Βάση Πύλη Τάφρου Πιστοποίηση UL για Μαλακούς Εκκινητές και Ανορθωτές Χαρακτηριστικά Τεχνολ... Διαβάστε περισσότερα
2026-04-10 18:08:20
ΚΙΝΑ SKM400GB12T4 1200V 400A Διπλή μονάδα IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4 Χαμηλή VCE(sat) 1.75V 10μs SC Capability CAL Diode Χαμηλές απώλειες μεταγωγής SEMITRANS3 Πιστοποίηση UL για κινήσεις υψηλής ισχύος εργοστάσιο

SKM400GB12T4 1200V 400A Διπλή μονάδα IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4 Χαμηλή VCE(sat) 1.75V 10μs SC Capability CAL Diode Χαμηλές απώλειες μεταγωγής SEMITRANS3 Πιστοποίηση UL για κινήσεις υψηλής ισχύος
Επικοινωνία

SKM400GB12T4 1200V 400A Διπλή μονάδα IGBT TRENCHSTOPTM IGBT4 χαμηλή ισχύς VCE (sat) 1.75V 10μs SC Ικανότητα CAL Δίοδος χαμηλές απώλειες διακόπτη SEMITRANS3 UL Πιστοποιημένο για κινητήρες υψηλής ισχύος Χαρακτηρι... Διαβάστε περισσότερα
2026-04-10 18:08:16
ΚΙΝΑ SKM75GB128DN 1200V, 75A Διπλή μονάδα IGBT Χαμηλό VCE(sat) 1.9V Γρήγορη μεταγωγή Ενσωματωμένη δίοδος 10μs SC Δυνατότητα Πακέτο SEMITOP2 Πίροι Press-Fit Πιστοποίηση UL για Drives και Inverters εργοστάσιο

SKM75GB128DN 1200V, 75A Διπλή μονάδα IGBT Χαμηλό VCE(sat) 1.9V Γρήγορη μεταγωγή Ενσωματωμένη δίοδος 10μs SC Δυνατότητα Πακέτο SEMITOP2 Πίροι Press-Fit Πιστοποίηση UL για Drives και Inverters
Επικοινωνία

SKM75GB128DN 1200V, 75A Διπλή μονάδα IGBT Χαμηλή VCE(sat) 1.9V Γρήγορη μεταγωγή Ενσωματωμένη δίοδος 10μs SC Δυνατότητα Πακέτο SEMITOP2 Πίροι Press-Fit Πιστοποίηση UL για Drives και Inverters Χαρακτηριστικά Τάση ... Διαβάστε περισσότερα
2026-04-10 18:08:13
ΚΙΝΑ SKKH570/18E 1800V 570A Τυρίστορα-Διοδίου Μονάδα Διπλής Σειράς Διεύρυνσης Πύλης Χαμηλή VF 1.44V, 19kA Surge AlN Κηραμικές βάσεις πίεσης επαφές UL πιστοποιημένο για μαλακά εκκινητές εργοστάσιο

SKKH570/18E 1800V 570A Τυρίστορα-Διοδίου Μονάδα Διπλής Σειράς Διεύρυνσης Πύλης Χαμηλή VF 1.44V, 19kA Surge AlN Κηραμικές βάσεις πίεσης επαφές UL πιστοποιημένο για μαλακά εκκινητές
Επικοινωνία

SKKH570/18E 1800V 570A Τυρίστορα-Διοδίου Μονάδα Διπλής Σειράς Διεύρυνσης Πύλης Χαμηλή VF 1.44V, 19kA Surge AlN Κηραμικές βάσεις πίεσης επαφές UL πιστοποιημένο για μαλακά εκκινητές Χαρακτηριστικά 1800V επαναλαμβ... Διαβάστε περισσότερα
2026-03-23 17:35:00
ΚΙΝΑ SKKE600/16 1600V 600A Μονάδα με Μεμονωμένη Δίοδο Εξαιρετικά Χαμηλή VF 1.5V Υψηλό Ρεύμα Υπέρτασης 22kA SEMIPACK4 Απομονωμένη Βάση Εξαιρετική Μεταφορά Θερμότητας Υψηλή Αξιοπιστία Πιστοποίηση UL για Ανορθωτές και Συγκόλληση εργοστάσιο

SKKE600/16 1600V 600A Μονάδα με Μεμονωμένη Δίοδο Εξαιρετικά Χαμηλή VF 1.5V Υψηλό Ρεύμα Υπέρτασης 22kA SEMIPACK4 Απομονωμένη Βάση Εξαιρετική Μεταφορά Θερμότητας Υψηλή Αξιοπιστία Πιστοποίηση UL για Ανορθωτές και Συγκόλληση
Επικοινωνία

SKKE600/16 1600V 600A Μονάδα μονοδιάोडης Υπερ-χαμηλό VF 1.5V Υψηλό ρεύμα 22kA SEMIPACK4 Απομονωμένη βάση Εξαιρετική μεταφορά θερμότητας Υψηλή αξιοπιστία UL πιστοποιημένο για διορθωτές και συγκόλληση Χαρακτηριστ... Διαβάστε περισσότερα
2026-03-23 17:34:56
ΚΙΝΑ SKDH116/16-L105 1600V 116A Μονάδα IGBT Γέφυρα 3 Φάσεων Boost Chopper Ενσωματωμένο NTC Υψηλό Ρεύμα Υπέρτασης 950A Πακέτο SEMIPONT6 Πίεση-Εντός Πιν Πιστοποίηση UL για UPS και Κινήσεις εργοστάσιο

SKDH116/16-L105 1600V 116A Μονάδα IGBT Γέφυρα 3 Φάσεων Boost Chopper Ενσωματωμένο NTC Υψηλό Ρεύμα Υπέρτασης 950A Πακέτο SEMIPONT6 Πίεση-Εντός Πιν Πιστοποίηση UL για UPS και Κινήσεις
Επικοινωνία

SKDH116/16-L105 1600V 116A IGBT Module 3-Φ Bridge Boost Chopper Ενσωματωμένο NTC Υψηλό Ρεύμα Υπέρτασης 950A SEMIPONT6 Πακέτο Press-In Pin Πιστοποίηση UL για UPS και Drives Χαρακτηριστικά Τάση αποκοπής 1600V με ... Διαβάστε περισσότερα
2026-03-23 17:34:53
Page 1 of 10|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|
natasha007007
Μονάδα 4G 5G

Κυψελοειδής ενότητα ενότητας 4G LTE GSM υψηλής ταχύτητας για τους δρομολογητές, Netbooks

Μακροδιάστημα RF 4G LTE Cat 6 Module EM7430 Κυρίως για την Ασία-Ειρηνικό MDM9230 Chipset

Ενότητα MC7430 MDM9230 4G LTE

Το Qualcomm MDM9230 Chipset 4G ενσωμάτωσε τις ασύρματες ενότητες MC7455 USB 3.0

τμήματα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

280756-4 4 Θέση 2,5 mm Στρώση Σύρμα-στο-Παράθυρο Πίεση Σκευάσματα Τρίψιμο Πίνακα κλειδαριού Mount UL 94V-0 Πολωμένη 4.5A Διοίκηση για τη διανομή ενέργειας και βιομηχανικούς ελέγχους

280389-2 2 Θέση 2,5 mm Στρίψιμο Κεφαλαίου Σύρματος προς το Πίνακα Κατακόρυφο Μέσα από τρύπα Καλυμμένο με πόλωση UL 94V-0 Χάλυβα επιχρισμένη για αυτοκινητοβιομηχανικές και βιομηχανικές εφαρμογές

SM4004PL-TP 400V 1A Γενικός σκοπός Δίοδος Χαμηλή ισχύς VF 1.1V Χαμηλή διαρροή 5μA Υψηλή τάση 30A SOD-123FL -65°C έως 175°C Συμμόρφωση με το RoHS για τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας και φωτισμό LED

υψηλή κεραία ΠΣΤ κέρδους

Η εξωτερική κεραία ΠΣΤ συνδετήρων SMA/SMB/BNC ΓΕΙΑ κερδίζει για το σύστημα οχημάτων

Υψηλή κεραία ΠΣΤ κέρδους υψηλής επίδοσης για το τηλέφωνο κυττάρων τοπ-ΠΣΤ-AI08

Βέλτιστο υψηλό κέρδος συνδετικότητας κεραία 50 ωμ με το μοντάρισμα βιδών

Αίτηση κράτησης
sgs

Νέα

E-Mail | Sitemap

Mobile Site
Πολιτική Απορρήτου | ΚΙΝΑ καλός Ποιότητα Μονάδα 4G 5G προμηθευτής. © 2016 - 2026 TOP Electronic Industry Co., Ltd.. All Rights Reserved.