IGBT Power Module εργοστάσιο, αγοράστε καλής ποιότητας IGBT Power Module προϊόντα από την Κίνα

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters
Επικοινωνία

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce(sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode High Temp 150°C Low Loss High Power Density For Compact UPS and Inverters Features Compact Design One screw mounting Heat ... Διαβάστε περισσότερα

2025-12-02 15:01:12

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters
Επικοινωνία

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce(sat) Fast Switching Soft Recovery Diode High Temp 175°C Low Loss Industrial Grade For UPS and Solar Inverters Features 1600V / 450A High-Power Rating Half... Διαβάστε περισσότερα

2025-12-02 14:08:35

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 3.3mΩ Γρήγορη εναλλαγή υψηλής συχνότητας χαμηλής απώλειας υψηλής πυκνότητας ισχύος Βιομηχανική ποιότητα για φωτοβολταϊκούς μετατροπείς και κινητήρες
Επικοινωνία

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 3.3mΩ Γρήγορη εναλλαγή υψηλής συχνότητας χαμηλής απώλειας υψηλής πυκνότητας ισχύος Βιομηχανική ποιότητα για φωτοβολταϊκούς μετατροπείς και κινητήρες Χαρακ... Διαβάστε περισσότερα

2025-12-01 16:47:20

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 11mΩ Γρήγορη εναλλαγή υψηλής συχνότητας υψηλής θερμοκρασίας 175 °C χαμηλής απώλειας Βιομηχανική ποιότητα για ηλιακές και βιομηχανικές μονάδες κίνησης
Επικοινωνία

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 11mΩ Γρήγορη εναλλαγή υψηλής συχνότητας υψηλής θερμοκρασίας 175 °C χαμηλής απώλειας Βιομηχανική ποιότητα για ηλιακές και βιομηχανικές μονάδες Χαρακτηριστικ... Διαβάστε περισσότερα

2025-12-01 14:02:19

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Χαμηλό Rds(on) 18mΩ Γρήγορη Εναλλαγή Υψηλής Συχνότητας Υψηλή Απόδοση Ανθεκτική Απόδοση Πακέτο TO-247 Για Server SMPS & Κινητήρες
Επικοινωνία

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Γρήγορη εναλλαγή υψηλής συχνότητας υψηλής απόδοσης Robust Performance TO-247 Package για SMPS Servers & Motor Drive Χαρακτηριστικά Το VDS = 60V,ID = 50A RDS ((ON) ... Διαβάστε περισσότερα

2025-11-27 14:54:51

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-Bridge Module Low Rds ((on) Fast Switching High Frequency High Temp Operation Low Loss Industrial Grade Για φωτοβολταϊκά και UPS
Επικοινωνία

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-Bridge Module Low Rds ((on) Fast Switching High Frequency High Temp Operation Low Loss Industrial Grade Για φωτοβολταϊκά και UPS Χαρακτηριστικά □ Τεχνολογία IGBT CHIP (Trench... Διαβάστε περισσότερα

2025-11-27 14:14:21

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V Low Rds ((on) 1.6mΩ Υψηλής απόδοσης Μετασχηματισμός υψηλής ταχύτητας Αυτοκινητοβιομηχανικής ποιότητας υγρό ψυγμένο για μετατροπείς έλξης xEV
Επικοινωνία

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V Low Rds ((on) 1.6mΩ Υψηλής απόδοσης Μετασχηματισμός υψηλής ταχύτητας Αυτοκινητοβιομηχανικής ποιότητας υγρό ψυγμένο για μετατροπείς έλξης xEV Χαρακτηριστικά Υπερτ... Διαβάστε περισσότερα

2025-11-26 17:17:38

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Γρήγορη αλλαγή υψηλής συχνότητας Robust Body Diode High Temp Operation TO-264 Πακέτο
Επικοινωνία

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Γρήγορη αλλαγή υψηλής συχνότητας Robust Body Diode High Temp Operation TO-264 Πακέτο Χαρακτηριστικά Διεθνές τυποποιημένο πακέτο Μίνι-BLOC, με απομόνωση από νιτρ... Διαβάστε περισσότερα

2025-11-26 16:52:34

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 Μονάδα IGBT Υψηλής Ισχύος Υψηλή Πυκνότητα Ισχύος Χαμηλό Vce(sat) Γρήγορη Εναλλαγή Υψηλή Συχνότητα Ανθεκτικό SOA Για Βιομηχανικές Μονάδες Δίσκων και UPS
Επικοινωνία

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Μονάδα υψηλής πυκνότητας ισχύος χαμηλή Vce ((sat) γρήγορη εναλλαγή υψηλής συχνότητας Robust SOA για βιομηχανικές μονάδες κίνησης και UPS Χαρακτηριστικά Μεγαλωμένη διώδ... Διαβάστε περισσότερα

2025-11-25 18:11:38

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT υψηλή πυκνότητα ισχύος χαμηλή Vce (sat) γρήγορη εναλλαγή υψηλής συχνότητας ισχυρή SOA βιομηχανική ποιότητα για UPS και ηλιακή ενέργεια
Επικοινωνία

FZ1600R17HP4B2 1700V HiPerFET 4 1600A IGBT υψηλή πυκνότητα ισχύος χαμηλή Vce (sat) γρήγορη εναλλαγή υψηλής συχνότητας ισχυρή SOA βιομηχανική ποιότητα για UPS και ηλιακή ενέργεια Χαρακτηριστικά 4 kV μονόκλιση AC ... Διαβάστε περισσότερα

2025-11-25 16:29:18