Αρχική Σελίδα Προϊόντα τμήματα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Εξαιρετικά χαμηλό MOSFET ισχύος 0.0015Ω σε διπλό PQFN με βαθμολογία χιονοστιβάδας AEC-Q101 175°C -40V/-30V Επίπεδο λογικής και χωρίς αλογόνα για μετατροπή ισχύος υψηλής απόδοσης

Όλα τα Προϊόντα

Μονάδα 4G 5G (37)

Ασύρματη ενότητα επικοινωνίας (38)

Λειτουργική μονάδα δέκτη GPS (11)

Ενσωματωμένες μονάδες ισχύος (4)

IGBT Power Module (58)

τμήματα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (533)

Παθητικά ηλεκτρονικά συστατικά (91)

υψηλή κεραία ΠΣΤ κέρδους (14)

ασύρματη κεραία επικοινωνίας (30)

κεραία combo (14)

Αντήνα χαμηλής συχνότητας (5)

Ψηφιακή κεραία TV (7)

ομοαξονικό καλώδιο RF (9)

ομοαξονικός συνδετήρας RF (10)

PCB Υπηρεσίες Συνέλευση (5)

Τερματικό μπλοκ σύνδεσμοι (16)

ΚΙΝΑ TOP Electronic Industry Co., Ltd. Πιστοποιήσεις

Άριστο προϊόν, καλή ποιότητα, ανταγωνιστική τιμή, επαγγελματική υπηρεσία, με 10 έτη συνεργασίας, τώρα γινόμαστε καλοί φίλοι μεταξύ τους.

—— Ronald-από Boilvia

Είναι πολύ ευτυχές να βρεί ΤΟΠ δεδομένου ότι ο συνεργάτης μας στην Κίνα, εδώ μπορούμε να πάρουμε το καλύτερα προϊόν και το serice, βάζουν πάντα τον πελάτη στην πρώτη θέση.

—— Carlos-από την Αργεντινή

Είμαι πολύ ικανοποιημένος με όλη την υπηρεσία σας. Είναι πραγματικά καλή ομάδα! με τη μιας στάσης προσφορά λύσης σας, μας βοηθήστε για να κερδίσετε πολλούς χρόνο και χρήματα

—— Giancarlo-από την Ιταλία

Είμαι Online Chat Now

Εξαιρετικά χαμηλό MOSFET ισχύος 0.0015Ω σε διπλό PQFN με βαθμολογία χιονοστιβάδας AEC-Q101 175°C -40V/-30V Επίπεδο λογικής και χωρίς αλογόνα για μετατροπή ισχύος υψηλής απόδοσης

Μεγάλες Εικόνας : Εξαιρετικά χαμηλό MOSFET ισχύος 0.0015Ω σε διπλό PQFN με βαθμολογία χιονοστιβάδας AEC-Q101 175°C -40V/-30V Επίπεδο λογικής και χωρίς αλογόνα για μετατροπή ισχύος υψηλής απόδοσης

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	ΚΙΝΑ
Μάρκα:	Infineon
Πιστοποίηση:	CE, GCF, ROHS
Αριθμό μοντέλου:	IRF7351TRPBF

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	1
Τιμή:	negotiable
Συσκευασία λεπτομέρειες:	Συσκευασμένο στον αρχικό δίσκο πρώτα, στη συνέχεια στο χαρτοκιβώτιο, στην τελευταία τσάντα φυσαλίδων
Χρόνος παράδοσης:	3-5 εργάσιμες ημέρες μετά την παραλαβή της πληρωμής
Όροι πληρωμής:	T/T, Western Union,
Δυνατότητα προσφοράς:	1000pcs το μήνα

Επικοινωνία

Λεπτομερής Περιγραφή Προϊόντος

Λειτουργία:	Βήμα-up, βήμα-κάτω	Διαμόρφωση εξόδου:	Θετικό ή αρνητικό
Τοπολογία:	Buck, Boost	Τύπος εξόδου:	Ευκανόνιστος
Αριθμός εξόδων:	1
Επισημαίνω:	Εξαιρετικά χαμηλής αντίστασης 0.0015Ω MOSFET , MOSFET με αξιολόγηση χιονοστιβάδας AEC-Q101 , MOSFET επιπέδου λογικής χωρίς αλογόνα

Υπερ-χαμηλό 0,0015andOmega; MOSFET ισχύος σε διπλό PQFN με βαθμολογία Avalanche AEC-Q101 175anddeg;C -40V/-30V λογικό επίπεδο και χωρίς αλογόνες για υψηλής απόδοσης μετατροπή ισχύος

καιnbsp;

Χαρακτηριστικά

Υπερ-χαμηλή αντίσταση πύλης

Πλήρως χαρακτηρισμένη τάση και ρεύμα χιονοστιβάδας

20V VGS Max. Διορισμός πύλης

καιnbsp;

Εφαρμογές

Σύγχρονος MOSFET διορθωτή για απομονωμένους μετατροπείς DC-DC

Συστήματα κινητήρα χαμηλής ισχύος

καιnbsp;

Περιγραφή

Το IRF7351TRPBF είναι ένα υψηλής απόδοσης, διπλού καναλιού N MOSFET από την Infineon Technologies, ενσωματωμένο σε ένα συμπαγές πακέτο PQFN 5x6 mm.Είναι ειδικά σχεδιασμένο για συγχρονισμένους μετατροπείς buck και άλλες εφαρμογές διαχείρισης ισχύος που απαιτούν υψηλή απόδοση και υψηλή πυκνότητα ισχύος.

καιnbsp;

Πληροφορίες

Κατηγορία	Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Τρανζίστορες FETs, MOSFETs FET, MOSFET συστοιχίες	καιnbsp;
Κατασκευαστής	Ινφίνιον Τεχνολογίες	καιnbsp;
Σειρά	HEXFETandreg·	καιnbsp;
Συσκευή	Ταινία και τροχό (TR) Τραπέζια κόψιμο (CT) Digi-Reelandreg·	καιnbsp; καιnbsp; καιnbsp;
Κατάσταση τμήματος	Ενεργός	καιnbsp;
Τεχνολογία	MOSFET (οξείδιο μετάλλου)	καιnbsp;
Διαμόρφωση	Δύο κανάλια N (διπλό)	καιnbsp;
Χαρακτηριστικό FET	Πύλη λογικού επιπέδου	καιnbsp;
Τεχνική μέθοδος	60V	καιnbsp;
Τρέχοντας - Συνεχή αποστράγγιση (Id) @ 25anddeg;C	8Α	καιnbsp;
Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs	17.8mOhm @ 8A, 10V	καιnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 50andmicro;A	καιnbsp;
Τεχνική διάταξη	36nC @ 10V	καιnbsp;
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 30V	καιnbsp;
Δύναμη - Max	2W	καιnbsp;
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)	καιnbsp;
Τύπος στερέωσης	Επεξεργασία επιφανείας	καιnbsp;
Πακέτο / Κουτί	8-SOIC (0,154 καιquot, πλάτος 3,90 mm)	καιnbsp;
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή	8-SO	καιnbsp;
Αριθμός βασικού προϊόντος	IRF7351

καιnbsp;

Σχεδίαση

Το πλεονέκτημα μας:τηλεφώνων, PDAs, φορητών υπολογιστών

Υψηλής ποιότητας προϊόντα --- οι προσφορές μας είναι 100% νέες και πρωτότυπες, ROHS
Ανταγωνιστική τιμή --- καλά κανάλια αγοράς με καλή τιμή.
Επαγγελματική εξυπηρέτηση --- αυστηρή δοκιμή ποιότητας πριν από την αποστολή, και τέλεια υπηρεσία μετά την αγορά.
Αρκετά αποθέματα... Με την υποστήριξη της ισχυρής μας ομάδας αγορών,
Γρήγορη παράδοση --- θα αποστείλουμε τα αγαθά εντός 1-3 εργάσιμων ημερών μετά την επιβεβαίωση της πληρωμής.

καιnbsp;

Βεβαιωθείτε ότι ικανοποιεί τις ανάγκες σας για όλα τα είδη των εξαρτημάτων.Ωραία.

Κατάλογος προϊόντων
Παρέχουμε μια σειρά από ηλεκτρονικά εξαρτήματα, πλήρη γκάμα ημιαγωγών, ενεργά και παθητικά εξαρτήματα.

Οι προσφορές περιλαμβάνουν:
Ενσωματωμένο κύκλωμα, IC μνήμης, διόδιο, τρανζίστορ, πυκνωτής, αντίσταση, βαρίστορ, ασφάλιστρα, τεμαχιστήρα και δυνατομετρητή, μετασχηματιστή, μπαταρία, καλώδιο, ρελέ, διακόπτη, συνδετήρα, τερματικό μπλοκ,Κρυστάλλιο και ενισχυτήςΟσκιλητήρας, επαγωγός, αισθητήρας, μετασχηματιστής, IGBT driver, LED,LCD, μετατροπέας, PCB (εκτυπωμένο κύκλωμα),PCBA (συναρμολόγηση PCB)

Δυνατό σε μάρκα:
Μικροτσίπ, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, κλπ.

καιnbsp;

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mrs. Natasha

Τηλ.:: 86-13723770752

Φαξ: 86-755-82815220

Άλλα προϊόντα

TLV6001IDBVR 1.8V έως 5.5V Rail-to-Rail Op Amp Χαμηλή ισχύς 10μA 1kHz GBW Micro SOT-23 Πακέτο για αισθητήρες και φορητές συσκευές με μπαταρία

Λειτουργία: Βήμα-up, βήμα-κάτω

Διαμόρφωση εξόδου: Θετικό ή αρνητικό

Τοπολογία: Buck, Boost